WAFER PROCESSING METHOD

• Main Authors: KIM TAEHEE, BANG HYEONJIN, BANG KISUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.02.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

The present invention is to propose a novel processing method that makes it possible to suppress a change of a position where a modified layer is formed on a wafer having uneven portions such as TEG on a street. A processing method of a wafer, which has a plurality of streets crossed on a surface and forms uneven portions on the surface, comprises: a maintaining step of maintaining a protective sheet side of a wafer unit with a maintaining table; an upper surface height position detection step of detecting an upper surface height position of a back surface of the wafer corresponding to a street; and a laser beam irradiating step of irradiating a laser beam along the street from the back surface of the wafer to form a modified layer along the street based on the upper surface height position in a state in which a light collection point of the laser beam of a wavelength having a light transmittance feature for the wafer is positioned inside the wafer. 본 발명은 스트리트 상에 TEG 등의 요철이 존재하는 웨이퍼에 대해, 개질층이 형성되는 위치의 변동을 억제하는 것을 가능하게 하는 신규의 가공 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다. 표면에 교차하는 복수의 스트리트를 갖고, 상기 표면에 요철이 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼 유닛의 보호 시트측을 유지 테이블로 유지하는 유지 단계와, 스트리트에 대응한 웨이퍼의 이면의 상면 높이 위치를 검출하는 상면 높이 위치 검출 단계와, 상면 높이 위치에 기초하여, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시킨 상태에서, 레이저 빔을 웨이퍼의 이면측으로부터 스트리트를 따라 조사하여 스트리트를 따른 개질층을 형성하는 레이저 빔 조사 단계를 포함한다.