메모리 어레이 및 전도성 관통-어레이-비아(TAV)를 형성하는 데 사용되는 방법 및 메모리 어레이

• Main Authors: CHARY INDRA V, CHANDOLU ANILKUMAR, FANG JUN, LOWE BRETT D, SHEPHERDSON JUSTIN D, KING MATTHEW J, DORHOUT JUSTIN B, CARTER CHET E, PARK MATTHEW
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.02.2022
• Subjects: ELECTRICITY

메모리 어레이 및 전도성 관통-어레이-비아(TAV)를 형성할 때 사용되는 방법은 수직으로 교대하는 절연성 티어 및 워드라인 티어를 포함하는 스택을 형성하는 것을 포함한다. 수평으로 기다란 트렌치 개구 및 작동 TAV 개구를 포함하는 마스크가 스택 위에 형성된다. 마스크 내 트렌치 및 작동 TAV 개구를 통해 스택의 마스킹되지 않은 부분에 에칭이 실시되어 스택 내 수평으로 기다란 트렌치 개구를 형성하고 스택 내 작동 TAV 개구를 형성할 수 있다. 스택 내 작동 TAV 개구에 전도성 물질이 형성되어 스택 내 개별 작동 TAV 개구에 개별 작동 TAV를 형성할 수 있다. 워드라인-개재 구조물이 스택 내 개별 트렌치 개구 내에 형성된다. A method used in forming a memory array and conductive through-array-vias (TAVs) comprises forming a stack comprising vertically-alternating insulative tiers and wordline tiers. A mask is formed comprising horizontally-elongated trench openings and operative TAV openings above the stack. Etching is conducted of unmasked portions of the stack through the trench and operative TAV openings in the mask to form horizontally-elongated trench openings in the stack and to form operative TAV openings in the stack. Conductive material is formed in the operative TAV openings in the stack to form individual operative TAVs in individual of the operative TAV openings in the stack. A wordline-intervening structure is formed in individual of the trench openings in the stack.