뉴로모픽 스위칭을 위한 이중 산화물 아날로그 스위치

뉴로모픽 애플리케이션들을 위한 예시적인 반도체 구조들은 기판 재료 위에 놓인 제1 층을 포함할 수 있다. 제1 층은 제1 산화물 재료이거나 제1 산화물 재료를 포함할 수 있다. 이 구조들은 제1 층에 인접하게 배치된 제2 층을 포함할 수 있다. 제2 층은 제2 산화물 재료이거나 제2 산화물 재료를 포함할 수 있다. 이 구조들은 또한, 제2 층 위에 놓이게 증착된 전극 재료를 포함할 수 있다. Exemplary semiconductor structures for neuromorphic applications may include a...

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Main Authors KAMALANATHAN DEEPAK, KRISHNAN SIDDARTH, KUMAR ARCHANA
Format Patent
LanguageKorean
Published 14.02.2022
Subjects
CALCULATING
COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
COMPUTING
COUNTING
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:뉴로모픽 애플리케이션들을 위한 예시적인 반도체 구조들은 기판 재료 위에 놓인 제1 층을 포함할 수 있다. 제1 층은 제1 산화물 재료이거나 제1 산화물 재료를 포함할 수 있다. 이 구조들은 제1 층에 인접하게 배치된 제2 층을 포함할 수 있다. 제2 층은 제2 산화물 재료이거나 제2 산화물 재료를 포함할 수 있다. 이 구조들은 또한, 제2 층 위에 놓이게 증착된 전극 재료를 포함할 수 있다. Exemplary semiconductor structures for neuromorphic applications may include a first layer overlying a substrate material. The first layer may be or include a first oxide material. The structures may include a second layer disposed adjacent the first layer. The second layer may be or include a second oxide material. The structures may also include an electrode material deposited overlying the second layer.
Bibliography:Application Number: KR20227000884