확장된 풀 웰 용량을 가진 CMOS 픽셀 센서

• Main Authors: LADD JOHN W, MAGNANI ALBERTO M
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 09.02.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

이미징 어레이 및 이미징 어레이를 동작시키는 방법이 개시된다. 이미징 어레이는 복수의 픽셀 센서를 포함한다. 픽셀 센서들 중 적어도 하나는 포토다이오드, 및 포토다이오드를 플로팅 확산 노드에 연결하는 전송 게이트, 리셋 회로, 및 비트 라인 상의 플로팅 확산 노드의 전위를 나타내는 전압을 생성하도록 구성된 버퍼를 포함한다. 이미징 어레이는 또한 신호 생성기와 제어기를 포함한다. 신호 생성기는 포토다이오드 웰의 전자들이 플로팅 확산 노드 웰로 전송되는 전위를 제어한다. 제어기는 통합 기간 동안 전송 게이트 신호 생성기로 하여금 전송 게이트의 전위를 낮추게 하여 포토다이오드 전위가 플로팅 확산 노드 전위보다 낮은 경우 전자들이 포토다이오드 웰로부터 플로팅 확산 노드 웰로 전송되도록 한다. An imaging array and a method of operating an imaging array are disclosed. The imaging array includes a plurality of pixel sensors. At least one of the pixel sensors includes a photodiode, and a transfer gate connecting the photodiode to a floating diffusion node, a reset circuit, and a buffer adapted to generate a voltage indicative of a potential on the floating diffusion node on a bit line. The imaging array also includes a signal generator and a controller. The signal generator controls the potential at which electrons in the photodiode well are transferred to the floating diffusion node well. The controller causes the transfer gate signal generator to lower the potential on the transfer gate during an integration period such that electrons will be transferred from the photodiode well to the floating diffusion node well if the photodiode potential is less than the floating diffusion node potential.