SEMICONDUCTOR DEVICE METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
광전 변환을 행하는 화소부(51)가 2차원 배열된 화소 영역(21)이 형성된 제1의 반도체 기판(12)과, 상기 화소부로부터 출력된 화소 신호를 처리하는 로직 회로가 형성된 제2의 반도체 기판(11)이 적층되어 구성되어 있고, 상기 제1의 반도체 기판의 상기 화소 영역 내의 온 칩 렌즈(16)의 위에, 실 수지(17)를 통하여, 상기 온 칩 렌즈를 보호하는 보호 기판(18)이 배치되어 있다. A semiconductor device (1) includes a first semiconductor substrate (12) in whi...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
08.02.2022
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Summary: | 광전 변환을 행하는 화소부(51)가 2차원 배열된 화소 영역(21)이 형성된 제1의 반도체 기판(12)과, 상기 화소부로부터 출력된 화소 신호를 처리하는 로직 회로가 형성된 제2의 반도체 기판(11)이 적층되어 구성되어 있고, 상기 제1의 반도체 기판의 상기 화소 영역 내의 온 칩 렌즈(16)의 위에, 실 수지(17)를 통하여, 상기 온 칩 렌즈를 보호하는 보호 기판(18)이 배치되어 있다.
A semiconductor device (1) includes a first semiconductor substrate (12) in which a pixel region (21) where pixel portions performing photoelectric conversion are two-dimensionally arranged is formed and a second semiconductor substrate (11) in which a logic circuit (23) processing a pixel signal output from the pixel portion is formed, the first and second semiconductor substrates being laminated. A protective substrate (18) protecting an on-chip lens (16) is disposed on the on-chip lens in the pixel region of the first semiconductor substrate with a sealing resin (17) interposed therebetween. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227002104 |