Two way precharge during programming in non-volatile memory device

• Main Authors: PARK SANG SOO, JANG JOON SUC, JOE SUNG MIN, KANG KI HOON, CHOI YONG HYUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.02.2022
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Disclosed is a non-volatile memory device that performs a bidirectional channel precharge during programming. A program operation of the non-volatile memory device, before programming for a selection memory cell, simultaneously performs a first precharge operation in a bit line direction and a second precharge operation in a source line direction for the channels of a plurality of cell strings to initialize the channels. The first precharge operation allows the channels of the plurality of cell strings to be precharged with a first precharge voltage of the bit line through the first and second string selection transistors, and the second precharge operation precharges the channels of the plurality of cell strings with a second precharge voltage of the source line through the first and second ground selection transistors. Therefore, the present invention is capable of improving a program performance. 프로그래밍 동안 양방향 채널 프리차지를 수행하는 비휘발성 메모리 장치가 개시된다. 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 동작은, 선택 메모리 셀에 대한 프로그래밍 전에, 복수의 셀 스트링들의 채널들에 대하여 비트라인 방향에서의 제1 프리차지 동작과 소스 라인 방향에서의 제2 프리차지 동작을 동시에 수행하여 채널들을 초기화한다. 제1 프리차지 동작은 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터들을 통하여 비트라인의 제1 프리차지 전압으로 복수의 셀 스트링들의 채널들을 프리차지하고, 제2 프리차지 동작은 제1 및 제2 접지 선택 트랜지스터들을 통하여 소스 라인의 제2 프리차지 전압으로 복수의 셀 스트링들의 채널들을 프리차지한다.