광전자 디바이스 및 광전자 디바이스를 제조하는 방법
광전자 디바이스 및 광전자 디바이스를 제조하는 방법이 개시된다. 한 실시형태에서, 광전자 디바이스는 활성 층 스택, 하우징 및 전기 접촉부를 포함하는 컴포넌트, 및 컴포넌트 중 적어도 하나의 컴포넌트의 표면 상의 적어도 하나의 보호 층을 포함하는데, 여기서 적어도 하나의 보호 층은 삼차원 폴리실록산계 네트워크를 갖는 가교 결합된 재료를 포함한다. An optoelectronic device and a method of producing an optoelectronic device are disclosed. In an embodime...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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13.01.2022
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Summary: | 광전자 디바이스 및 광전자 디바이스를 제조하는 방법이 개시된다. 한 실시형태에서, 광전자 디바이스는 활성 층 스택, 하우징 및 전기 접촉부를 포함하는 컴포넌트, 및 컴포넌트 중 적어도 하나의 컴포넌트의 표면 상의 적어도 하나의 보호 층을 포함하는데, 여기서 적어도 하나의 보호 층은 삼차원 폴리실록산계 네트워크를 갖는 가교 결합된 재료를 포함한다.
An optoelectronic device and a method of producing an optoelectronic device are disclosed. In an embodiment an optoelectronic device includes components including an active layer stack, a housing and electrical contacts and at least one protective layer on a surface of at least one of the components, wherein the at least one protective layer includes a cross-linked material with a three-dimensional polysiloxane-based network. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217037416 |