Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

• Main Authors: CHO SUNG HWAN, CHA JU HONG, JEONG JEE HUN, SHIM SEUNG BO, SUNG DOUG YONG, LEE HO JUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a device for processing an inductively coupled plasma with an improved uniformity of gas formation in a chamber. The device for processing the inductively coupled plasma according to some embodiments comprises: a lower chamber wherein a substrate is disposed; a high-frequency antenna that generates an inductively coupled plasma in the lower chamber; a plurality of dielectric windows disposed between the lower chamber and the high-frequency antenna; a plurality of metal windows disposed between the lower chamber and the high-frequency antenna, and disposed between each of the plurality of dielectric windows; and a gas inlet pipe disposed within each of the plurality of metal windows, wherein the gas inlet pipe comprises a plurality of nozzles that spray a gas toward the substrate. 챔버 내에서 가스가 형성되는 균일도가 향상된 유도 결합형 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 몇몇 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 기판이 배치되는 하부 챔버, 하부 챔버에 유도 결합 플라즈마를 생성시키는 고주파 안테나, 하부 챔버와 고주파 안테나 사이에 배치되는 복수의 유전체 윈도우, 하부 챔버와 고주파 안테나 사이에 배치되며, 복수의 유전체 윈도우 각각의 사이에 배치되는 복수의 금속 윈도우, 및 복수의 금속 윈도우 각각의 내에 배치되는 가스 유입관을 포함하되, 가스 유입관은 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 포함한다.