비-정반사성 나노구조 박막 반사기를 갖는 고휘도 LED

• Main Author: TAMMA VENKATA ANANTH
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

발광 디바이스는 광을 방출하도록 구성된 반도체 다이오드 구조체, 반도체 다이오드 구조체에 의해 방출된 광에 투명한 기판, 및 반사성 나노구조 층을 포함한다. 반사성 나노구조 층은 기판의 하부 표면 상에 또는 그에 인접하여 배치되고, 반도체 구조체에 의해 방출되고 반사성 나노구조 층 상에 수직 입사각도들로 또는 그에 가까운 각도들로 입사하는 광을 기판의 측벽 표면을 향해 그리고 그를 통해 반사하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 반사성 나노구조 층은 기판의 적어도 하나의 측벽 표면 상에 또는 그에 인접하여 배치되고, 반도체 구조체에 의해 방출되고 반사성 나노구조 층 상에 수직 입사각도들로 또는 그에 가까운 각도들로 입사하는 광을 기판의 하부 표면을 향해 그리고 그를 통해 반사하도록 구성될 수 있다. A light emitting device comprises a semiconductor diode structure configured to emit light, a substrate that is transparent to light emitted by the semiconductor diode structure, and a reflective nanostructured layer. The reflective nanostructured layer may be disposed on or adjacent to a bottom surface of the substrate and configured to reflect toward and through a side wall surface of the substrate light that is emitted by the semiconductor structure and incident on the reflective nanostructured layer at angles at or near perpendicular incidence. Alternatively, the reflective nanostructured layer may be disposed on or adjacent to at least one sidewall surface of the substrate and configured to reflect toward and through the bottom surface of the substrate light that is emitted by the semiconductor structure and incident on the reflective nanostructured layer at angles at or near perpendicular incidence.