POLISHING COMPOSITION

본 발명은 CMP 후의 연마 대상물의 표면에 잔류하는 불순물을 충분히 제거하는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 연마용 조성물은, 지립 또는 유기 화합물 (A)를 함유하는 연마용 조성물 (A)로 연마한 후에 사용되는 연마용 조성물이며, 불소 원자, 산소 원자, 질소 원자 및 염소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자를 포함하고 분자량이 100 이상인 유기 화합물 (B), pH 조정제 및 0 내지 1질량％의 지립을 함유하는 것을 특징으로 한다. The purpose of the present inve...

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Main Authors YAMATO YASUYUKI, SUZUKI SHOTA, YOSHIZAKI YUKINOBU, IZAWA YOSHIHIRO, SAITO CHIAKI, SAKABE KOICHI, YOKOTA SHUUGO, AKATSUKA TOMOHIKO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 21.12.2021
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH
SEMICONDUCTOR DEVICES
SKI WAXES
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Summary:본 발명은 CMP 후의 연마 대상물의 표면에 잔류하는 불순물을 충분히 제거하는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 연마용 조성물은, 지립 또는 유기 화합물 (A)를 함유하는 연마용 조성물 (A)로 연마한 후에 사용되는 연마용 조성물이며, 불소 원자, 산소 원자, 질소 원자 및 염소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자를 포함하고 분자량이 100 이상인 유기 화합물 (B), pH 조정제 및 0 내지 1질량％의 지립을 함유하는 것을 특징으로 한다. The purpose of the present invention is to provide a means to sufficiently remove impurities remaining on the surface of a polishing object after CMP. The polishing composition of the present invention is a polishing composition which is used after polishing has been performed by using a polishing composition (A) including abrasive grains or an organic compound (A), and is characterized by including an organic compound (B) which includes at least one atom selected from the group consisting of a fluorine atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, and a chlorine atom and has a molecular weight of 100 or more, a pH adjusting agent, and 0 to 1% by mass of abrasive grains.
Bibliography:Application Number: KR20217040785