TSV OVERSIZED VIA AS THROUGH-SUBSTRATE-VIATSV STOP LAYER

• Main Authors: YAUNG DUN NIAN, LIN HSING CHIH, KAO MIN FENG, CHU YI SHIN, LIU JEN CHENG, CHEN PING TZU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure, in some embodiments, relates to an integrated chip structure. The integrated chip structure comprises a standard via disposed on a first side of a substrate. An oversized via is disposed on the first side of the substrate and laterally separated from a standard via. The oversized via has a wider width than a standard via. An interconnect wire is in vertical contact with the oversized via. A through-substrate via (TSV) extends through the substrate from a second side of the substrate so that the TSV is in physical contact with the oversized via or interconnect wire. The TSV has a minimum width that is less than the width of the oversized via. 본 개시는, 일부 실시예에서, 집적 칩 구조물과 관련된다. 집적 칩 구조물은 기판의 제1 측면 상에 배치된 표준 비아를 포함한다. 오버사이즈 비아는 기판의 제1 측면 상에 배치되고 표준 비아로부터 측방으로 분리된다. 오버사이즈 비아는 표준 비아보다 더 넓은 폭을 가진다. 인터커넥트 와이어는 오버사이즈 비아와 수직으로 접촉한다. 관통-기판 비아(TSV)는 기판의 제2 측면으로부터 기판을 통해 연장되어, 오버사이즈 비아 또는 인터커넥트 와이어와 물리적으로 접촉한다. TSV는 오버사이즈 비아의 폭보다 더 작은 최소 폭을 가진다.