이종 패키징 통합을 위한 재구성된 기판 구조 및 제조 방법들

• Main Authors: DICAPRIO VINCENT, VERHAVERBEKE STEVEN, CELLERE GIORGIO, TONINI DIEGO, SEE GUAN HUEI, CHEN HAN WEN, CHO KYUIL, PARK GIBACK
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시내용은 박형-폼-팩터의 재구성된 기판들 및 이들을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 본 명세서에 설명되는 재구성된 기판들은 동종의 또는 이종의 고밀도 3D 통합 디바이스들을 제조하는 데 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘 기판은 하나 이상의 공동들 및 하나 이상의 비아들을 포함하도록 직접 레이저 패터닝에 의해 구조화된다. 동일하거나 상이한 타입들의 하나 이상의 반도체 다이들이 공동들 내에 배치될 수 있고, 그 후, 기판 상에서의 절연 층의 형성 시에 기판에 매립될 수 있다. 하나 이상의 전도성 상호연결부들이 비아들에 형성되며, 재구성된 기판의 원하는 표면들에 재분배된 콘택 포인트들을 가질 수 있다. 그 후, 재구성된 기판은 적층된 3D 디바이스로 통합될 수 있다. The present disclosure relates to methods and apparatus for forming thin-form-factor reconstituted substrates and semiconductor device packages for radio frequency applications. The substrate and package structures described herein may be utilized in high-density 2D and 3D integrated devices for 4G, 5G, 6G, and other wireless network systems. In one embodiment, a silicon substrate is structured by laser ablation to include cavities for placement of semiconductor dies and vias for deposition of conductive interconnections. Additionally, one or more cavities are structured to be filled or occupied with a flowable dielectric material. Integration of one or more radio frequency components adjacent the dielectric-filled cavities enables improved performance of the radio frequency elements with reduced signal loss caused by the silicon substrate.