COBALT BASED INTERCONNECTS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

• Main Authors: CARVER COLIN T, CHEBIAM RAMANAN V, JEZEWSKI CHRISTOPHER J, INDUKURI TEJASWI K
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

실시예는 다음을 포함하는 금속 인터커넥트 구조체를 포함한다: 기판 위에 배치된 유전체 층; 유전체 층 내의 개구부 - 상기 개구부는 측벽들을 가지고 있고 기판과 인터커넥트 라인 중 적어도 하나의 전도성 영역을 노출시킴 -; 전도성 영역 위에 그리고 측벽들 상에 배치되는 망간을 포함한 접착 층; 및 개구부 내에 그리고 접착 층의 표면 상에 코발트를 포함한 충전 재료. 다른 실시예들이 본 명세서에서 설명된다. An embodiment includes a metal interconnect structure, comprising: a dielectric layer disposed on a substrate; an opening in the dielectric layer, wherein the opening has sidewalls and exposes a conductive region of at least one of the substrate and an interconnect line; an adhesive layer, comprising manganese, disposed over the conductive region and on the sidewalls; and a fill material, comprising cobalt, within the opening and on a surface of the adhesion layer. Other embodiments are described herein.