SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE

Disclosed are a semiconductor device and a method of forming the semiconductor device. The method comprises: a step of forming a first fin and a second fin on the substrate. A low concentration source/drain area is epitaxially grown over the first fin and the second fin. The material in the low-conc...

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Main Authors YANG WEI SIANG, YU MING HUA
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 08.12.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Disclosed are a semiconductor device and a method of forming the semiconductor device. The method comprises: a step of forming a first fin and a second fin on the substrate. A low concentration source/drain area is epitaxially grown over the first fin and the second fin. The material in the low-concentration area has less than 50 vol % germanium. A high-concentration contact landing area is formed on the low-concentration area. The material of the high-concentration contact landing area has at least 50 vol% germanium. The high-concentration contact landing area has a thickness of at least 1 nm over a top surface of the low-concentration source/drain area. 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 형성 방법이 여기에 기재된다. 방법은, 기판에 제1 핀 및 제2 핀을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제1 핀 위에 그리고 상기 제2 핀 위에 저농도 소스/드레인 영역이 에피텍셜 성장된다. 상기 저농도 영역의 재료는 50 vol% 미만의 게르마늄을 갖는다. 상기 저농도 영역 위에 고농도 콘택 랜딩 영역이 형성된다. 상기 고농도 콘택 랜딩 영역의 재료는 적어도 50 vol% 게르마늄을 갖는다. 상기 고농도 콘택 랜딩 영역은 상기 저농도 소스/드레인 영역의 상부 표면 위에 적어도 1 nm의 두께를 갖는다.
Bibliography:Application Number: KR20210043269