LOW VOLUME SHOWERHEAD WITH POROUS BAFFLE

A showerhead in a semiconductor processing device may include a porous baffle to improve flow uniformity and purge time during atomic layer deposition. The showerhead comprises: a plenum volume; one or more gas inlets in fluid-communication with the plenum volume; a face plate including a plurality...

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Main Authors CHANDRASEKHARAN RAMESH, KANG HU, SANGPLUNG SAANGRUT, PASQUALE FRANK, SWAMINATHAN SHANKAR, LAVOIE ADRIEN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 01.12.2021
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Summary:A showerhead in a semiconductor processing device may include a porous baffle to improve flow uniformity and purge time during atomic layer deposition. The showerhead comprises: a plenum volume; one or more gas inlets in fluid-communication with the plenum volume; a face plate including a plurality of first through-holes for distributing a gas onto a substrate in a semiconductor processing device; and a porous baffle positioned in a region between the plenum volume and the one or more gas inlets. The one or more gas inlets may include a stem with a small volume to improve purge time. The baffle is porous to improve flow uniformity and inhibit jetting and can be positioned between the stem and the plenum volume. 반도체 프로세싱 장치 내의 샤워헤드는 원자 층 증착 동안에 흐름 균일도 및 퍼지 시간을 개선하기 위해서 다공성 베플을 포함할 수 있다. 이 샤워헤드는 플레넘 볼륨, 플레넘 볼륨과 유체적으로 연통하는 하나 이상의 가스 유입부들, 반도체 프로세싱 장치 내의 기판 상으로 가스를 분배하기 위한 복수의 제 1 관통-홀들을 포함하는 대면플레이트, 및 플레넘 볼륨과 하나 이상의 가스 유입부들 간의 영역에 위치한 다공성 베플을 포함한다. 하나 이상의 가스 유입부들은 퍼지 시간을 개선하기 위해서 작은 볼륨을 갖는 스템을 포함할 수 있다. 베플은 흐름 균일도를 개선하고 분사 (jetting) 를 억제하기 위해서 다공성이며 스템과 플레넘 볼륨 간에 위치할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20210164496