에칭 반응기용 터보 분자 펌프 및 캐소드 어셈블리

• Main Authors: GREGOR MARIUSCH, LILL THORSTEN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 28.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BLASTING; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; HEATING; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; NON-POSITIVE DISPLACEMENT PUMPS; POSITIVE DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; WEAPONS

프로세싱 챔버 및 반도체 기판을 에칭하는 방법이 제공된다. 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버를 배기하도록 사용된 펌프의 코어 내의 통로의 중심선 및 가스가 프로세싱 챔버로 도입되는 가스 포트의 중심선과 정렬된 반도체 기판을 유지하기 위한 척의 중심선 및 스테이지의 스템의 중심선에 대칭이다. 스템은 통로를 통해 연장하고 나선 홈이 스템과 코어 사이의 갭 내부의 중간 및 점성 플로우 레짐으로 펌프의 배기부로부터 가스의 역 스트리밍에 대응하는 펌핑 작용을 제공하도록 스템 또는 코어의 내측 표면 중 하나만의 통로 내에 형성된다. A processing chamber and method of etching a semiconductor substrate are presented. The processing chamber is symmetric, with the centerlines of a chuck and stem of a stage to retain a semiconductor substrate aligned with a centerline of a passage in a core of a pump used to evacuate the processing chamber and with a centerline of a gas port through which gas is introduced to the processing chamber. The stem extends through the passage and a spiral groove is formed in the passage in only one of the stem or an inner surface of the core to provide pumping action to counter back streaming of the gas from an exhaust of the pump in an intermediate and viscous flow regime inside a gap between the stem and the core.