다중 스페이서 패터닝 방식들
본 개시내용은 우수한 프로파일 제어 및 피처 전사 무결성을 갖는 다중 패터닝 프로세스를 활용하여 나노구조들을 형성하는 것을 제공한다. 일 실시예에서, 기판 상에 피처들을 형성하기 위한 방법은, 기판 상에 맨드릴 층을 형성하는 단계, 맨드릴 층 상에 스페이서 층을 등각적으로 형성하는 단계 -스페이서 층은 도핑된 실리콘 재료임-, 및 스페이서 층을 패터닝하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 상에 피처들을 형성하기 위한 방법은, 기판 상의 맨드릴 층 상에 스페이서 층을 등각적으로 형성하는 단계 -스페이서 층은 도핑된 실리콘 재료...
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
27.10.2021
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Summary: | 본 개시내용은 우수한 프로파일 제어 및 피처 전사 무결성을 갖는 다중 패터닝 프로세스를 활용하여 나노구조들을 형성하는 것을 제공한다. 일 실시예에서, 기판 상에 피처들을 형성하기 위한 방법은, 기판 상에 맨드릴 층을 형성하는 단계, 맨드릴 층 상에 스페이서 층을 등각적으로 형성하는 단계 -스페이서 층은 도핑된 실리콘 재료임-, 및 스페이서 층을 패터닝하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 기판 상에 피처들을 형성하기 위한 방법은, 기판 상의 맨드릴 층 상에 스페이서 층을 등각적으로 형성하는 단계 -스페이서 층은 도핑된 실리콘 재료임-, 제1 가스 혼합물을 사용하여 스페이서 층의 일부분을 선택적으로 제거하는 단계, 및 제1 가스 혼합물과 상이한 제2 가스 혼합물을 사용하여 맨드릴 층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.
The present disclosure provides forming nanostructures utilizing multiple patterning process with good profile control and feature transfer integrity. In one embodiment, a method for forming features on a substrate includes forming a first mandrel layer on a material layer disposed on a substrate. A first spacer layer is conformally formed on sidewalls of the first mandrel layer, wherein the first spacer layer comprises a doped silicon material. The first mandrel layer is selectively removed while keeping the first spacer layer. A second spacer layer is conformally formed on sidewalls of the first spacer layer and selectively removing the first spacer layer while keeping the second spacer layer. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217033789 |