세륨 화합물 제거용 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
본 발명은, 세륨 화합물 제거용 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은, 세륨 화합물의 제거성이 우수한 세정액을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 세륨 화합물 제거용 세정액은, 배위수가 7 이상인 아미노폴리카르복실산 화합물을 포함한다. The present invention relates to a cleaning liquid for removing cerium compounds, a cleaning method, and a method for producing a semiconductor...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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27.10.2021
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Summary: | 본 발명은, 세륨 화합물 제거용 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은, 세륨 화합물의 제거성이 우수한 세정액을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 세륨 화합물 제거용 세정액은, 배위수가 7 이상인 아미노폴리카르복실산 화합물을 포함한다.
The present invention relates to a cleaning liquid for removing cerium compounds, a cleaning method, and a method for producing a semiconductor wafer. The purpose of the present invention is to provide a cleaning liquid that exhibits an excellent cleaning performance for cerium compounds. A cleaning liquid for removing cerium compounds according to the present invention comprises an aminopolycarboxylic acid compound that has a coordination number of at least 7. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217025542 |