연마액, 분산체, 연마액의 제조 방법 및 연마 방법

실리카를 포함하는 지립과 액상 매체를 함유하는 CMP용 연마액으로서, 지립의 함유량이, 연마액의 전량을 기준으로 하여, 1.0질량% 이상이고, 원심 분리법에 의하여 얻어지는 질량 기준의 입도 분포에 있어서, 지립의 D50이 150nm 이하이며, 지립의 D90이 100nm 이상이고, D90과 D50의 차가 21nm 이상인, CMP용 연마액이다. A polishing liquid for CMP, containing: abrasive grains containing silica; and a liquid medium, in which a...

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Main Authors ONO HIROSHI, INOUE KEISUKE
Format Patent
LanguageKorean
Published 20.10.2021
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH
SEMICONDUCTOR DEVICES
SKI WAXES
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Summary:실리카를 포함하는 지립과 액상 매체를 함유하는 CMP용 연마액으로서, 지립의 함유량이, 연마액의 전량을 기준으로 하여, 1.0질량% 이상이고, 원심 분리법에 의하여 얻어지는 질량 기준의 입도 분포에 있어서, 지립의 D50이 150nm 이하이며, 지립의 D90이 100nm 이상이고, D90과 D50의 차가 21nm 이상인, CMP용 연마액이다. A polishing liquid for CMP, containing: abrasive grains containing silica; and a liquid medium, in which a content of the abrasive grains is 1.0% by mass or more based on the total amount of the polishing liquid, and in a particle size distribution on mass basis obtained by a centrifugation method, D50 of the abrasive grains is 150 nm or less, D90 of the abrasive grains is 100 nm or more, and a difference between the D90 and the D50 is 21 nm or more.
Bibliography:Application Number: KR20217029596