활물질

• Main Authors: IDE HITOHIKO, MITSUMOTO TETSUYA, KAI TAKUYA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRICITY; PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSIONOF CHEMICAL INTO ELECTRICAL ENERGY

사이클 특성을 높이고, 방전 프로파일의 플래토 영역을 저감 혹은 없애고, 하이레이트 특성도 높일 수 있는, 새로운 활물질을 제공한다.　실리콘과, 화학식 MxSiy(여기서, x 및 y는 0.1≤x/y≤7.0을 충족시키고, M은 Si 이외의 반금속 원소 및 금속 원소 중 1종 또는 2종 이상이다.)로 표시되는 화합물을 함유하는 활물질이며, Si 원소의 함유량은 50wt％보다 많고, 상기 M의 함유량은 38wt％ 미만이고, 산소(O) 원소의 함유량은 30wt％ 미만이고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법으로 측정되는 D50이 4.0㎛ 미만, Dmax가 25㎛ 미만이고, CuKα1선을 사용한 X선 회절 패턴에 있어서, 2θ=28.42°±1.25°에 출현하는 피크 A의 반값전폭이 0.25° 이상이며, 또한 상기 화학식 MxSiy로 표시되는 화합물에 귀속되는 피크 B의 피크 강도 IB에 대한, 상기 피크 A의 피크 강도 IA의 비(IA/IB)는 1 미만인 활물질이다. Provided is a novel active material capable of enhancing cycle characteristics, reducing or eliminating plateau regions in a discharge profile, and also enhancing high-rate characteristics.The active material comprises silicon and a compound represented by chemical formula MxSiy (where x and y satisfy 0.1 ≤ x/y ≤ 7.0, and M represents one or two or more of metalloid elements other than Si and metal elements), wherein the content of Si elements in the active material is more than 50 wt%, the content of M in the active material is less than 38 wt%, and the content of oxygen (O) elements in the active material is less than 30 wt%; wherein, with regard to D50 and Dmax measured by a laser diffraction scattering-type particle size distribution measurement method (referred to as "D50" and "Dmax" respectively), the D50 is less than 4.0 µm and the Dmax is less than 25 µm; and wherein, in an X-ray diffraction pattern measured by an X-ray diffractometer (XRD) using CuKα1 rays, the full width at half maximum of a peak A appearing at 2θ = 28.42° ± 1.25° is 0.25° or more, and when the peak intensity of a peak B belonging to the compound represented by the chemical formula MxSiy is defined as IB and the peak intensity of the peak A is defined as IA, the ratio (IA/IB) of the IA to the IB is less than 1.