FINFET FINFET DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

• Main Authors: CHIANG KUO CHENG, JU SHI NING, CHENG KUAN LUN, WANG CHIH HAO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor structure comprises: a power rail on a back side of the semiconductor structure; a first interconnect structure on a front side of the semiconductor structure; and a source feature, a drain feature, a first semiconductor fin, and a gate structure between the power rail and the first interconnect structure. The first semiconductor fin connects the source feature and the drain feature. The gate structure is disposed on the front side and two sides of the first semiconductor fin. The semiconductor structure further includes an isolation structure disposed between the power rail and the drain feature and between the power rail and the first semiconductor fin, and a via passing through the isolation structure and coupling the source feature to the power rail. 반도체 구조체는 반도체 구조체의 후면 상의 전력 레일, 반도체 구조체의 전면 상의 제 1 상호연결 구조체, 전력 레일과 제 1 상호연결 구조체 사이에 있는 소스 피처, 드레인 피처, 제 1 반도체 핀, 및 게이트 구조체를 포함한다. 제 1 반도체 핀은 소스 피처 및 드레인 피처를 연결한다. 게이트 구조체는 제 1 반도체 핀의 전면 및 2개의 측면들 상에 배치된다. 반도체 구조체는 전력 레일과 드레인 피처 사이에 그리고 전력 레일과 제 1 반도체 핀 사이에 배치된 격리 구조체, 및 격리 구조체를 관통하고 소스 피처를 전력 레일에 연결하는 비아를 더 포함한다.