MULTI-GATE TRANSISTOR STRUCTURE

• Main Author: LIAW JHON JHY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시에 따른 반도체 디바이스는 제1 채널부 및 제1 연결부를 포함하는 제1 채널 멤버, 제2 채널부 및 제2 연결부를 포함하는 제2 채널 멤버, 제1 채널부 및 제2 채널부 주위에 배치된 게이트 구조체, 및 제1 연결부 및 제2 연결부 사이에 배치된 내부 스페이서 피처를 포함한다. 게이트 구조체는 게이트 유전체 층 및 게이트 전극을 포함한다. 게이트 유전체 층은 내부 스페이서 피처와 제1 연결부 사이 및 내부 스페이서 피처와 제2 연결부 사이에서 부분적으로 연장된다. 게이트 전극은 내부 스페이서 피처와 제1 연결부 사이 및 내부 스페이서 피처와 제2 연결부 사이에서 연장되지 않는다. A semiconductor device according to the present disclosure includes a first channel member including a first channel portion and a first connection portion, a second channel member including a second channel portion and a second connection portion, a gate structure disposed around the first channel portion and the second channel portion, and an inner spacer feature disposed between the first connection portion and the second connection portion. The gate structure includes a gate dielectric layer and a gate electrode. The gate dielectric layer extends partially between the inner spacer feature and the first connection portion and between the inner spacer feature and the second connection portion. The gate electrode does not extend between the inner spacer feature and the first connection portion and between the inner spacer feature and the second connection portion.