PROCESSING METHOD OF A WAFER

• Main Author: SIBO TAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

An objective of the present invention is to provide a wafer processing method capable of preventing damage to a device adjacent to an outer peripheral surplus region of a wafer. The wafer processing method includes: a protective member configuration step for configuring a protective member (14) on a surface (2a) of a wafer (2); a ring-shaped modified layer formation step for forming a first ring-shaped modified layer (24) and a second ring-shaped modified layer (26) along an outer peripheral surplus region (10); a predetermined division line modified layer formation step for forming and modifying a predetermined division line modified layer (28) along a predetermined division line (6); and a division step for dividing the wafer (2) into individual device chips (46) by a crack (28') extending from the predetermined division line modified layer (28) to the predetermined division line (6) while grinding a back surface (2b) of the wafer (2) to form a predetermined thickness. In the predetermined division line modified layer formation step, a start point (28a) and an end point (28b) of the predetermined division line modified layer (28) are disposed between the first ring-shaped modified layer (24) and the second ring-shaped modified layer (26) to position the focusing point of a laser beam (LB). (과제) 웨이퍼의 외주 잉여 영역에 인접하는 디바이스의 손상을 방지할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다. (해결 수단) 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 에 보호 부재 (14) 를 배치 형성하는 보호 부재 배치 형성 공정과, 외주 잉여 영역 (10) 을 따라 제 1 링상 개질층 (24) 과 제 2 링상 개질층 (26) 을 형성하는 링상 개질층 형성 공정과, 분할 예정 라인 (6) 을 따라 분할 예정 라인 개질층 (28) 을 형성하는 분할 예정 라인 개질층 형성 공정과, 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 을 연삭하여 소정의 두께로 형성함과 함께 분할 예정 라인 개질층 (28) 으로부터 분할 예정 라인 (6) 으로 신장되는 크랙 (28') 에 의해 웨이퍼 (2) 를 개개의 디바이스 칩 (46) 으로 분할하는 분할 공정을 포함한다. 분할 예정 라인 개질층 형성 공정에 있어서, 분할 예정 라인 개질층 (28) 의 시점 (28a) 및 종점 (28b) 이 제 1 링상 개질층 (24) 과 제 2 링상 개질층 (26) 사이에 위치하도록 레이저 광선 (LB) 의 집광점을 위치시킨다.