반도체 장치 및 그 제조 방법

• Main Authors: NISHIZAWA KOICHIRO, HISAKA TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

디바이스 기판(1)의 상면에 디바이스(2)가 형성되어 있다. 무전해 도금 반응의 촉매 금속으로 이루어지는 실링 프레임(16)이 디바이스 기판(1)의 상면에 있어서 디바이스(2)를 둘러싸고 형성되어 있다. 실링 프레임(16)을 개재하여 디바이스 기판(1)의 상면과 캡 기판(10)의 하면이 중공 상태로 접합되어 있다. 복수의 전극(8, 11, 12)이 디바이스(2)에 접속되고 디바이스 기판(1) 및 캡 기판(10)의 외측에 인출되어 있다. 금속막(20)이 실링 프레임(16)의 외측면에 형성되고, 디바이스 기판(1) 및 캡 기판(10)에는 형성되어 있지 않다. A device (2) is provided on an upper surface of the device substrate (1). A sealing frame (16) made of a non-electrolytic plating reactive catalyst metal is provided on the upper surface of the device substrate (1) and surrounds the device (2). An upper surface of the device substrate (1) and a lower surface of the cap substrate (10) are joined in a hollow state through the sealing frame (16). A plurality of electrodes (8, 11, 12) are connected to the device (2) and extended out of the device substrate (1) and the cap substrate (10). A metal film (20) is provided on an outer surface of the sealing frame (16) and not provided on the device substrate (1) and the cap substrate (10).