후면 전력 전달로의 대체 매설 전력 레일

• Main Authors: LIEBMANN LARS, SMITH JEFFREY, DEVILLIERS ANTON, KANG HOYOUNG, CHANEMOUGAME DANIEL
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 29.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시물의 양태는 반도체 소자를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 방법은, 기판의 제2 면에 대향하는 기판의 제1 면으로부터 액세스함으로써, 기판 상에 더미 전력 레일을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은, 기판의 제1 면에 액세스함으로써, 기판 상에 트랜지스터 소자 및 제1 배선 층을 형성하는 단계를 포함한다. 더미 전력 레일은 기판의 제1 면 상의 트랜지스터 소자의 레벨 아래에 위치된다. 그 다음, 방법은, 기판의 제1 면에 대향하는 기판의 제2 면으로부터 액세스함으로써, 더미 전력 레일을 전도성 전력 레일로 대체하는 단계를 포함한다. Aspects of the disclosure provide a method for fabricating a semiconductor device. The method includes forming dummy power rails on a substrate by accessing from a first side of the substrate that is opposite to a second side of the substrate. Further, the method includes forming transistor devices and first wiring layers on the substrate by accessing the first side of the substrate. The dummy power rails are positioned below a level of the transistor devices on the first side of the substrate. Then, the method includes replacing the dummy power rails with conductive power rails by accessing from the second side of the substrate that is opposite to the first side of the substrate.