SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING A STUD CONNECTED TO STRING SELECTION LINE
A semiconductor element comprises: a memory stack on a substrate, wherein the memory stack comprises a lower gate electrode; an upper gate stack including a string selection line; a memory gate contact disposed on the lower gate electrode and extending vertically; and a selection line stud disposed...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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27.09.2021
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Summary: | A semiconductor element comprises: a memory stack on a substrate, wherein the memory stack comprises a lower gate electrode; an upper gate stack including a string selection line; a memory gate contact disposed on the lower gate electrode and extending vertically; and a selection line stud disposed on the string selection line and extending vertically. The string selection line includes a material different from that of the lower gate electrode. The selection line stud includes a different material from the memory gate contact.
반도체 소자는 기판 상의 메모리 스택, 상기 메모리 스택은 하부 게이트 전극; 스트링 선택 라인을 포함하는 상부 게이트 스택; 상기 하부 게이트 전극 상에 배치되며 수직으로 연장되는 메모리 게이트 콘택; 및 상기 스트링 선택 라인 상에 배치되며 수직으로 연장되는 선택 라인 스터드를 포함한다. 상기 스트링 선택 라인은 상기 하부 게이트 전극과 다른 물질을 포함한다. 상기 선택 라인 스터드는 상기 메모리 게이트 콘택과 다른 물질을 포함한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20200031894 |