LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: SUNG BUM MO, LEE DO KYEONG, LEE JAE SEOB, KANG TAE WOOK, KIM HAN BIT, KIM KEUN WOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to embodiments, a light emitting display device comprises: a light emitting element; a second transistor connected to a scan line; a driving transistor for applying a current to the light emitting device; an organic capacitor connected to a gate electrode of the driving transistor; and a third transistor connecting an output-side electrode of the driving transistor and the gate electrode. The second transistor, the driving transistor, and the third transistor position a channel in a polycrystalline semiconductor layer. A width of the channel of the third transistor is 1 μm or more and 2 μm or less. A length of the channel is formed to be 1 μm or more and 2.5 μm or less so that a flicker is not recognized in case of low frequency driving. 실시예들에 따르면, 발광 표시 장치는 발광 소자; 스캔선에 연결되어 있는 제2 트랜지스터; 상기 발광 소자에 전류를 인가하는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되어 있는 유기 축전기; 및 상기 구동 트랜지스터의 출력측 전극과 상기 게이트 전극을 연결해주는 제3 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 다결정 반도체층에 채널이 위치하며, 상기 제3 트랜지스터의 상기 채널의 폭은 1㎛ 이상 2㎛ 이하이며, 상기 채널의 길이는 1㎛ 이상 2.5㎛ 이하로 형성하여 저주파수 구동시 플리커가 시인되지 않는다.