WAFER PROCESSING METHOD

• Main Authors: KISHI YUUTARO, SEINO TAKUYA, OKABE NORIAKI, KOZUKA RYOTA, HAMADA YASUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a technique for performing etching of a silicon-containing film with a high aspect ratio. According to an exemplary embodiment, a method for processing a wafer comprises a step of preparing a wafer having a substrate and a silicon-containing film prepared on the substrate. The method also includes a step of forming a hard mask on the silicon-containing film. The method further includes a step of etching the silicon-containing film by using a hard mask. The hard mask has a first film including tungsten prepared on the silicon-containing film and a second film including zirconium or titanium and oxygen, wherein the second film is prepared on the first film. 본 발명은, 실리콘 함유막의 에칭을 고애스펙트비로 행하기 위한 기술을 제공한다. 예시적 실시 형태에 따른 웨이퍼를 처리하는 방법은, 기판과 기판 상에 마련된 실리콘 함유막을 갖는 웨이퍼를 준비하는 공정을 구비한다. 당해 방법은, 또한 실리콘 함유막 상에 하드마스크를 형성하는 공정을 구비한다. 당해 방법은, 또한 하드마스크를 사용해서 실리콘 함유막을 에칭하는 공정을 구비한다. 하드마스크는, 실리콘 함유막 상에 마련되어 텅스텐을 포함하는 제1 막과, 제1 막 상에 마련되어 지르코늄 또는 티타늄 및 산소를 포함하는 제2 막을 갖는다.