반도체 구조들을 에칭하기 위한 방법들 및 장치

• Main Authors: KANG SEAN S, SHIMIZU DAISUKE, HATAKEYAMA TAIKI, KAWASAKI KATSUMASA, ZHANG CHUNLEI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 RIE(reactive ion etching)을 사용하여 기판에 고 종횡비 피처들을 생성하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 방법은, C3H2F4와 동반 가스(companion gas)의 가스 혼합물을 프로세스 챔버 내로 유동시키는 단계, 기판 위의 상부 전극에 연결된 RF 전력 소스 및 기판 아래의 하부 전극에 연결된 적어도 하나의 RF 바이어스 전력 소스를 사용하여 가스 혼합물로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 패턴 마스크를 사용하여 기판 상의 산화물 또는 질화물의 적어도 하나의 층의 이방성 에칭을 플라즈마를 통해 수행하는 단계, 기판 상의 산화물 또는 질화물의 적어도 하나의 층 상에 패시베이션 층의 증착을 야기시키기(produce) 위해, 적어도 하나의 RF 바이어스 전력 소스의 전력을 감소시키는 단계, 및 플라즈마 형성을 중지시키기 위해 RF 전력 소스를 중단시키면서 프로세스 챔버를 진공배기(evacuating)시키는 단계를 포함한다. Methods and apparatus for producing high aspect ratio features in a substrate using reactive ion etching (RIE). In some embodiments, a method comprises flowing a gas mixture of C3H2F4 and a companion gas into a process chamber, forming a plasma from the gas mixture using an RF power source connected to an upper electrode above the substrate and at least one RF bias power source connected to a lower electrode under the substrate, performing an anisotropic etch, via the plasma, of at least one layer of oxide or nitride on the substrate using a pattern mask, reducing power of the at least one RF bias power source to produce deposition of a passivation layer on the at least one layer of oxide or nitride on the substrate, and evacuating the process chamber while interrupting the RF power source to stop plasma formation.