SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FRACTURED SEMICONDUCTOR DIES

• Main Authors: PERIYANNAN KIRUBAKARAN, HUYNH HOANG, LYONS EVERETT, PACHAMUTHU JAYAVEL, CR NARENDHIRAN, LINNEN DANIEL, DINH DAT, DHOLAKIA JAY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A fractured semiconductor die is disclosed with a semiconductor device comprising the fractured semiconductor die. During fabrication of semiconductor dies on a wafer, the wafer may be scored in a series of parallel scribe lines through portions of each row of semiconductor dies. The scribe lines then propagate through the entire thickness of the wafer to fracture a portion of each of the semiconductor dies. It can happen that electrical traces, such as bit lines in memory cell arrays, are shorted together during the die fracture process. These electrical shorts can be removed by passing a current through each of the electrical traces. 파절된 반도체 다이가, 파절된 반도체 다이를 포함하는 반도체 디바이스와 함께 개시된다. 웨이퍼에서의 반도체 다이들의 제조 동안, 웨이퍼는 반도체 다이들의 각각의 행의 일부분들을 통해 일련의 평행한 스크라이브 라인들에서 스코어링될 수 있다. 이어서, 스크라이브 라인들은 웨이퍼의 전체 두께를 통해 전파되어 반도체 다이들 각각의 일부분을 파절시킨다. 다이 파절 공정 동안 메모리 셀 어레이들 내의 비트 라인들과 같은 전기 트레이스들이 함께 단락되는 일이 일어날 수 있다. 이들 전기 단락부는 전기 트레이스들 각각을 통해 전류를 흐르게 함으로써 제거될 수 있다.