LINE-END EXTENSION METHOD AND DEVICE

A forming method of a line-end extension unit and a device having the line-end extension unit are provided. In some embodiments, the method includes a step of forming photoresist patterned on a first region of a hard mask layer. A line-end extension region laterally extends from an end of the first...

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Main Authors LAI CHIH MING, HSIAO CHIH MIN, LIU RU GUN, LAI CHIEN WEN, CHANG SHIH MING, CHANG YU CHEN, YEN YUNG SUNG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 13.09.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A forming method of a line-end extension unit and a device having the line-end extension unit are provided. In some embodiments, the method includes a step of forming photoresist patterned on a first region of a hard mask layer. A line-end extension region laterally extends from an end of the first region of the hard mask layer to the outside. The line-end extension region may be formed by changing physical properties of the hard mask layer in the line-end extension region. 라인 엔드 연장부의 형성 방법 및 라인 엔드 연장부를 갖는 디바이스가 제공된다. 일부 실시예에서, 방법은 하드 마스크 층의 제1 영역 상에 패터닝된 포토레지스트를 형성하는 단계를 포함한다. 라인 엔드 연장 영역은 하드 마스크 층의 제1 영역의 단부로부터 측방향으로 바깥쪽으로 연장한다. 라인 엔드 연장 영역은 라인 엔드 연장 영역에서 하드 마스크 층의 물리적 특성을 변경함으로써 형성될 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20200068036