TECHNIQUES TO INHIBIT DELAMINATION FROM FLOWABLE GAP-FILL DIELECTRIC

• Main Authors: KUANG HSUN CHUNG, YANG CHING JU, LIANG CHIN WEI, LIN HSING LIEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an interfacial layer which couples a hydrophilic interlayer dielectric object to a hydrophobic gap-fill dielectric object. The hydrophobic gap-fill dielectric object is a product of a flowable CVD process that extends on a gap between devices in a device array disposed between two metal interconnect layers on a semiconductor substrate so as to fill. The interfacial layer provides a hydrophilic top surface to which the interlayer dielectric object is attached. Optionally, the interfacial layer is also a product of a flowable CVD process. Alternatively, the interfacial layer may be silicon nitride or another dielectric object that is hydrophilic. The interfacial layer may have a wafer contact angle (WCA) which is the middle between a WCA of the hydrophobic dielectric object and a WCA of the interlayer dielectric object. 친수성 층간 유전체를 소수성 갭-충전 유전체에 결합하는 계면층이 제공된다. 소수성 갭-충전 유전체는 반도체 기판 위의 2개의 금속 상호연결층들 사이에 배치된 디바이스 어레이 내의 디바이스 사이의 갭 위로 연장되어 충전하고 유동가능 CVD 프로세스의 산물이다. 계면층은 층간 유전체가 부착되는 친수성 상면을 제공한다. 선택적으로, 계면층은 또한 유동가능 CVD 프로세스의 산물이다. 대안적으로, 계면층은 실리콘 질화물 또는 친수성인 다른 유전체일 수 있다. 계면층은 소수성 유전체의 WCA와 층간 유전체의 WCA 사이의 중간의 웨이퍼 접촉각(WCA)을 가질 수 있다.