SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NOMURA MASAFUMI, MIYAMOTO TOSHIYUKI, OKAZAKI KENICHI, HAMOCHI TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

정전기 방전 손상으로 인해 수율 감소가 예방되는 높은 신뢰도의 반도체 디바이스가 제공된다. 게이트 전극 층, 게이트 전극 층 위의 제 1 게이트 절연 층, 제 1 게이트 절연 층 위에 있고 제 1 게이트 절연 층보다 얇은 두께를 갖는 제 2 게이트 절연 층, 제 2 게이트 절연 층 위의 산화물 반도체 층 및 산화물 반도체 층에 전기적으로 연결된 소스 전극 층 및 드레인 전극 층을 포함하는 반도체 디바이스가 제공된다. 상기 제 1 게이트 절연 층은 질소를 함유하고 전자 스핀 공명 분광법에서 2.003의 g 계수에서 나타나는 신호에 대응하는 1×1017spins/㎤ 이하의 스핀 밀도를 갖는다. 제 2 게이트 절연 층은 질소를 함유하고 제 1 게이트 절연 층보다 낮은 수소 농도를 갖는다. A highly reliable semiconductor device the yield of which can be prevented from decreasing due to electrostatic discharge damage is provided. A semiconductor device is provided which includes a gate electrode layer, a first gate insulating layer over the gate electrode layer, a second gate insulating layer being over the first gate insulating layer and having a smaller thickness than the first gate insulating layer, an oxide semiconductor layer over the second gate insulating layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer electrically connected to the oxide semiconductor layer. The first gate insulating layer contains nitrogen and has a spin density of 1×1017 spins/cm3 or less corresponding to a signal that appears at a g-factor of 2.003 in electron spin resonance spectroscopy. The second gate insulating layer contains nitrogen and has a lower hydrogen concentration than the first gate insulating layer.