CHARGE LOSS COMPENSATION

According to some embodiments, disclosed are methods, systems, devices, and machine readable media to compensate for charge loss effects. In some embodiments, charge loss may be estimated by a charge loss monitor for a specific unit of a NAND device and may be used to select a charge loss compensati...

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Main Authors HOEI JUNG SHENG, KAVALIPURAPU KALYAN CHAKRAVARTHY C
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 03.09.2021
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:According to some embodiments, disclosed are methods, systems, devices, and machine readable media to compensate for charge loss effects. In some embodiments, charge loss may be estimated by a charge loss monitor for a specific unit of a NAND device and may be used to select a charge loss compensation scheme. The charge loss may be estimated by a charge loss estimation process by determining a reference readout voltage and calculating a bit count resulting from the readout from the reference readout voltage. The number of returned bits may be used to select a specific charge loss compensation scheme. 일부 예들에서 전하 손실 효과들을 보상하기 위한 방법들, 시스템들, 장치들 및 기계 판독 가능 매체가 개시된다. 일부 예들에서, 전하 손실은 NAND 장치의 특정 유닛에 대한 전하 손실 모니터에 의해 추정될 수 있으며 전하 손실 보상 방식을 선택하는 데 활용될 수 있다. 전하 손실은 기준 판독 전압을 결정하고 해당 기준 판독 전압에서의 판독으로 인한 비트 카운트를 계산함으로써 전하 손실 추정 프로세스에 의해 추정될 수 있다. 반환된 비트 수는 특정 전하 손실 보상 방식을 선택하는 데 사용될 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20210025799