메모리 시스템 및 이의 동작

• Main Author: GANS DEAN D
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 26.08.2021
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

저에너지 액세스 동작을 위해 구성된 제1 메모리 디바이스, 및 고밀도로 정보를 저장하도록 구성된 제2 메모리 디바이스를 포함하는 메모리 시스템 또는 방식과 관련된 방법, 시스템 및 디바이스 및 그 동작이 설명된다. 상기 메모리 시스템은 고밀도로 정보를 저장하도록 구성된 어레이를 포함할 수 있으며, 제어기 및 비교적 빠른 메모리 유형의 캐시 또는 다른 어레이를 통해 호스트와 인터페이싱할 수 있다. 상기 메모리 시스템은 2개, 3개 또는 그 이상의 전압 레벨을 사용하는 변조 방식 또는 방식(예를 들어, NRZ, PAM4)을 포함하는 하나의 또는 여러 개의 변조 방식에 따라 통신되는 신호를 지원할 수 있다. 상기 메모리 시스템은, 예를 들어, 호스트와 메모리 시스템 내의 메모리 어레이 또는 메모리 유형 간에 상이한 변조 방식을 사용하여 통신하도록 구성된 개별 채널을 포함할 수 있다. Methods, systems, and devices related to a memory system or scheme that includes a first memory device configured for low-energy access operations and a second memory device configured for storing high-density information and operations of the same are described. The memory system may include an array configured for high-density information and may interface with a host via a controller and a cache or another array of a relatively fast memory type. The memory system may support signals communicated according to one or several modulation schemes, including a modulation scheme or schemes that employ two, three, or more voltage levels (e.g., NRZ, PAM4). The memory system may include, e.g., separate channels configured to communicate using different modulation schemes between a host and between memory arrays or memory types within the memory system.