메모리 어레이 및 메모리 어레이를 형성하는 데 사용되는 방법

• Main Authors: HALLER GORDON A, HOWDER COLLIN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 26.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

메모리 어레이를 형성하는데 사용되는 방법은 도전성 층을 포함하는 기판, 도전성 층 위의 제1 절연체 층, 제1 절연체 층 위의 희생 재료 계층, 및 희생 재료 층 위의 제2 절연체 층을 형성하는 단계를 포함한다. 수직으로 교번하는 절연 층들 및 워드라인 층들을 포함하는 스택이 제2 절연체 층 위에 형성된다. 채널 재료는 절연 층들과 워드라인 층들을 통해 형성된다. 수평으로 연장된 트렌치들은 스택을 통해 희생 재료 층까지 형성된다. 희생 재료는 제1 절연체 층의 재료에 대해 선택적으로 그리고 제2 절연체 층의 재료에 대해 선택적으로 수평으로 연장된 트렌치들을 통해 식각된다. 채널 재료의 측 방향 외부 측벽은 희생 재료 층에서 노출된다. 도전성 구조는 희생 재료 층의 채널 재료의 측 방향 외측 측벽에 대해 직접 형성된다. 도전성 구조는 제1 절연체 층을 통해 연장되고 채널 재료를 도전성 층에 직접 전기적으로 결합한다. 구조 실시 예들이 개시된다. A method used in forming a memory array comprises forming a substrate comprising a conductive tier, a first insulator tier above the conductive tier, a sacrificial material tier above the first insulator tier, and a second insulator tier above the sacrificial material tier. A stack comprising vertically-alternating insulative tiers and wordline tiers is formed above the second insulator tier. Channel material is formed through the insulative tiers and the wordline tier. Horizontally-elongated trenches are formed through the stack to the sacrificial material tier. Sacrificial material is etched through the horizontally-elongated trenches selectively relative to material of the first insulator tier and selectively relative to material of the second insulator tier. A laterally-outer sidewall of the channel material is exposed in the sacrificial material tier. A conductive structure is formed directly against the laterally-outer sidewall of the channel material in the sacrificial material tier. The conductive structure extends through the first insulator tier and directly electrically couples the channel material to the conductive tier. Structure embodiments are disclosed.