EMBEDDED DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: KIM WOO JIN, LEE KIL HO, KOH GWAN HYEOB
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, an embedded device comprises: a substrate including a first region and a second region; a lower electrode contact provided on the first region of the substrate; a first structure comes in contact with the upper surface of the lower electrode contact and having a lower electrode, a magnetic tunnel junction (MTJ) structure, and an upper electrode stacked thereon; a first metal wiring structure provided on the second region of the substrate and having an upper surface higher than the first structure; a bit line structure in contact with the upper electrode of the first structure; and a second metal wiring structure in contact with the first metal wiring structure. The bit line structure and the second metal interconnection structure have different vertical heights. Accordingly, the embedded device can provide a high degree of freedom in layout design and excellent electrical characteristics. 임베디드 소자는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판이 구비된다. 제1 영역의 기판 상에 하부 전극 콘택이 구비된다. 상기 하부 전극 콘택 상부면과 접하고, 하부 전극, 자기터널접합(MTJ) 구조물 및 상부 전극이 적층되는 제1 구조물이 구비된다. 상기 제2 영역의 기판 상에 구비되고, 상기 제1 구조물보다 높은 상부면을 갖는 제1 금속 배선 구조물이 구비된다. 상기 제1 구조물의 상부 전극과 접촉하는 비트 라인 구조물이 구비된다. 상기 제1 금속 배선 구조물과 접촉하는 제2 금속 배선 구조물을 포함한다. 상기 비트 라인 구조물과 상기 제2 금속 배선 구조물은 서로 다른 수직 방향의 높이를 갖는다. 상기 임베디드 소자는 배치 설계 자유도가 높고 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.