촬상 소자 및 촬상 장치

• Main Author: KIMIZUKA NAOHIKO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시는 화질 저감을 억제할 수 있도록 하는 촬상 소자 및 촬상 장치에 관한 것이다. 촬상 소자의 화소 단위에 있어서, 멀티게이트 트랜지스터로 이루어지는 선택 트랜지스터 및 증폭 트랜지스터를 설치한다. 예를 들면, 그 선택 트랜지스터 및 증폭 트랜지스터를 모두 핀 형상의 실리콘 채널을 갖는 FinFET로 한다. 또한, 예를 들면, 선택 트랜지스터 및 증폭 트랜지스터의 게이트가, 동일한 핀 형상의 실리콘 채널에 형성되도록 한다. 나아가, 예를 들면, 선택 트랜지스터의 실리콘 채널에는, 보론이나 인보다 열확산 계수가 작은 이온이 주입되도록 한다. 또한, 예를 들면, 선택 트랜지스터 및 증폭 트랜지스터의 게이트 전극에는, 일함수가 서로 다른 재료를 사용하도록 한다. 본 개시는, 예를 들면, 촬상 소자, 촬상 장치, 또는 화상 처리 장치 등에 적용할 수 있다. The present disclosure relates to an imaging element and an imaging device capable of reducing image quality deterioration.A pixel unit of the imaging element includes a selection transistor and an amplification transistor each constituted by a multigate transistor. For example, each of the selection transistor and the amplification transistor is a FinFET that includes a silicon channel having a fin shape. Moreover, for example, gates of the selection transistor and the amplification transistor are formed on an identical silicon channel having a fin shape. Furthermore, for example, an ion having a smaller thermal diffusivity than a thermal diffusivity of boron or phosphorous is injected into the silicon channel of the selection transistor. In addition, for example, a work function of a material of a gate electrode of the selection transistor is different from a work function of a material of a gate electrode of the amplification transistor. For example, the present disclosure is applicable to an imaging element, an imaging device, an image processing device, or the like.