반도체 기판의 제조 방법

• Main Authors: MASUJIMA MASAHIRO, HIRANO ISAO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 19.08.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

오르가노폴리실록산을 함유하는 조성물을 사용하여 형성된, 이온 주입의 마스크의 잔사를 간이하게 저감할 수 있는 반도체 기판의 제조 방법을 제공하는 것. 피처리 반도체 기판 상에, 오르가노폴리실록산을 함유하는 감에너지성 조성물을 사용하여 마스크를 형성하는 마스크 형성 공정과, 마스크를 구비하는 피처리 반도체 기판에 대해서 이온 주입을 행하는 이온 주입 공정과, 마스크를 제거하는 마스크 제거 공정을 포함하고, 마스크 제거 공정은, 마스크와, 산화제를 함유하는 제 1 처리액의 접촉과, 마스크에 대한, 산소 함유 가스를 사용하여 생성시킨 플라즈마의 조사 중의 적어도 일방을 행하는 제 1 공정과, 제 1 공정 후의 마스크에, 불화물 이온을 함유하는 제 2 처리액을 접촉시키는 제 2 공정을 갖는다. Provided is a method for producing a semiconductor substrate which is capable of easily reducing residue of an ion injection mask formed using a composition containing an organopolysiloxane. This method comprises: a mask formation step of forming a mask on a semiconductor substrate to be processed, using an energy-sensitive composition comprising an organopolysiloxane, an ion implantation step of implanting ions into the semiconductor substrate to be processed, the semiconductor substrate being provided with the mask, and a mask removal step of removing the mask, wherein the mask removal step comprises: a first step comprising at least one of: contacting the mask with a first treatment liquid containing an oxidizing agent and irradiating the mask with plasma generated using an oxygen-containing gas, and a second step comprising bringing the mask after being subjected to the first step into contact with a second treatment liquid comprising fluoride ions.