LIGHT EMITTING DIODE

• Main Authors: CHO HONG SUK, PARK EUN JI, PARK DAE SEOK, IN CHI HYUN, KIM SANG MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to one embodiment, a light emitting diode includes: a substrate; a lower semiconductor layer disposed on the substrate; a first upper semiconductor layer disposed on one region of the lower semiconductor layer; an active layer disposed between the lower semiconductor layer and the first upper semiconductor layer; a first electrode disposed on the first upper semiconductor layer and electrically connected to the first upper semiconductor layer; a second electrode disposed on the lower semiconductor layer and electrically connected to the lower semiconductor layer; an insulating layer covering the first electrode and the second electrode, and including a first open area exposing the first electrode and a second open area exposing the second electrode; a first bump disposed on the insulating layer to cover a portion of the insulating layer and electrically connected to the first electrode; and a second bump disposed on the insulating layer to cover a portion of the insulating layer and electrically connected to the second electrode, wherein the first upper semiconductor layer includes a dumbbell shape having a narrow waist, and the second electrode surrounds an entire periphery of the first upper semiconductor layer. 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판; 기판 상에 배치된 하부 반도체층; 하부 반도체층의 일 영역 상에 상에 배치된 제1 상부 반도체층; 하부 반도체층과 제1 상부 반도체층 사이에 배치된 활성층; 제1 상부 반도체층 상에 배치되어 제1 상부 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극; 하부 반도체층 상에 배치되어 하부 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극; 제1 전극 및 제2 전극을 덮되, 제1 전극을 노출시키는 제1 개방 영역 및 제2 전극을 노출시키는 제2 개방 영역을 포함하는 절연층; 절연층 상에 배치되어 절연층의 일부를 덮고, 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 범프; 및 절연층 상에 배치되어 절연층의 일부를 덮고, 제2 전극에 전기적으로 접속된 제2 범프를 포함하되, 제1 상부 반도체층은 좁은 허리를 가지는 아령 형상을 포함하고, 제2 전극은 상기 제1 상부 반도체층의 주위 전체를 둘러싼다.