반도체 장치의 제조 방법

복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 형성 부재 (2) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성하는 공정과, 수지층 (13) 에 버프 연마를 실시하여, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 제거하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법. This method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resin layer (13) on a bump forming face (2A) of a member with...

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Main Author SHINOMIYA KEISUKE
Format Patent
LanguageKorean
Published 03.08.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 형성 부재 (2) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성하는 공정과, 수지층 (13) 에 버프 연마를 실시하여, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 제거하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법. This method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resin layer (13) on a bump forming face (2A) of a member with bumps (2) on which a plurality of bumps (22) are formed, and a step of buffing the resin layer (13) to remove the resin layer (13) that covers the surface of the bumps (22).
Bibliography:Application Number: KR20217013296