전계 억제가 향상된 고전압 반도체 디바이스의 제조 방법

반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다. 방법은 복수의 반도체 디바이스를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은 복수의 반도체 디바이스 상에 유전체 건식 필름을 배치하는 단계를 더 포함하고, 유전체 건식 필름은 패터닝된 유전체 건식 필름 내의 개구들이 복수의 반도체 디바이스 각각의 전도성 패드들과 정렬되도록 패터닝된다. Methods of fabricating a semiconductor device are provided. The method includes providing a plurality of semiconductor devi...

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Main Authors KAPUSTA CHRISTOPHER JAMES, YU LIANGCHUN, ARTHUR STEPHEN DALEY, STOFFEL NANCY CECELIA, ESLER DAVID RICHARD
Format Patent
LanguageKorean
Published 26.07.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다. 방법은 복수의 반도체 디바이스를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은 복수의 반도체 디바이스 상에 유전체 건식 필름을 배치하는 단계를 더 포함하고, 유전체 건식 필름은 패터닝된 유전체 건식 필름 내의 개구들이 복수의 반도체 디바이스 각각의 전도성 패드들과 정렬되도록 패터닝된다. Methods of fabricating a semiconductor device are provided. The method includes providing a plurality of semiconductor devices. The method further includes disposing a dielectric dry film on the plurality of semiconductor devices, wherein the dielectric dry film is patterned such that openings in the patterned dielectric dry film are aligned with conductive pads of each of the plurality of semiconductor devices.
Bibliography:Application Number: KR20217020545