인 도핑된 실리콘 나이트라이드 막들을 증착하기 위한 방법들

• Main Authors: YU HANG, HOWLADER RANA, HU KESONG, PADHI DEENESH, TSIANG MICHAEL WENYOUNG, HAN XINHAI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.07.2021
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

하드마스크 재료들 및 막들을 증착하기 위한, 더욱 구체적으로는, 인 도핑된 실리콘 나이트라이드 막들을 증착하기 위한 방법들이 제공된다. 프로세싱 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하는 방법은, PE-CVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 프로세스 동안 기판 상에 인 도핑된 실리콘 나이트라이드 막을 증착하기 위해 RF 전력의 존재 시 기판을 증착 가스에 노출시키는 단계를 포함한다. 증착 가스는 하나 이상의 실리콘 전구체들, 하나 이상의 질소 전구체들, 하나 이상의 인 전구체들 및 하나 이상의 캐리어 가스들을 포함한다. 인 도핑된 실리콘 나이트라이드 막은 약 0.1 원자%(at%) 내지 약 10 원자% 범위의 인 농도를 갖는다. Methods for depositing hardmask materials and films, and more specifically, for depositing phosphorus-doped, silicon nitride films are provided. A method of depositing a material on a substrate in a processing chamber includes exposing a substrate to a deposition gas in the presence of RF power to deposit a phosphorus-doped, silicon nitride film on the substrate during a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process. The deposition gas contains one or more silicon precursors, one or more nitrogen precursors, one or more phosphorus precursors, and one or more carrier gases. The phosphorus-doped, silicon nitride film has a phosphorus concentration in a range from about 0.1 atomic percent (at %) to about 10 at %.