비아 배선 형성용 기판, 비아 배선 형성용 기판의 제조 방법 및 반도체 장치 실장 부품

적어도 하나의 반도체칩을 실장하기 위한 비아 배선 형성용 기판으로서, 서포트 기판과, 상기 서포트 기판 위에 설치된 박리 가능 접착제층과, 상기 박리 가능 접착제층 위에 설치된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 위에 적층된 제2 절연층을 구비하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에는, 상기 반도체칩의 복수의 접속 단자의 각각에 대응하고 또한 상기 접속 단자와 접속하는 비아 배선을 형성 가능한 비아 배선 형성용 비아가 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층만을 위치 어긋남 없이 관통하여 형성되어 있다. A via wiring...

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Main Author KURIHARA HIROYUKI
Format Patent
LanguageKorean
Published 20.07.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
PRINTED CIRCUITS
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:적어도 하나의 반도체칩을 실장하기 위한 비아 배선 형성용 기판으로서, 서포트 기판과, 상기 서포트 기판 위에 설치된 박리 가능 접착제층과, 상기 박리 가능 접착제층 위에 설치된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 위에 적층된 제2 절연층을 구비하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에는, 상기 반도체칩의 복수의 접속 단자의 각각에 대응하고 또한 상기 접속 단자와 접속하는 비아 배선을 형성 가능한 비아 배선 형성용 비아가 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층만을 위치 어긋남 없이 관통하여 형성되어 있다. A via wiring formation substrate for mounting at least one semiconductor chip, the substrate including a support substrate, a releasable adhesive layer provided on the support substrate, a first insulating layer provided on the releasable adhesive layer, and a second insulating layer laminated on the first insulating layer, wherein the first insulating layer and the second insulating layer are provided with a via wiring formation via, the via wiring formation via enabling formation of via wirings which respectively correspond to a plurality of connection terminals of the semiconductor chip and which respectively connect the plurality of connection terminals, such that the via wiring formation via penetrates only through the first insulating layer and the second insulating layer without misalignment.
Bibliography:Application Number: KR20217017815