GATE DRIVE APPARATUS AND CONTROL METHOD
A device comprises a capacitive device configured to provide bias power to a high-side switch and a gate drive path having a variable resistor coupled between the capacitive device and a gate of the high-side switch. The gate drive path having the variable resistor is a first resistance value in res...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
15.07.2021
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Summary: | A device comprises a capacitive device configured to provide bias power to a high-side switch and a gate drive path having a variable resistor coupled between the capacitive device and a gate of the high-side switch. The gate drive path having the variable resistor is a first resistance value in response to turn-on of the high-side switch. The gate drive path having the variable resistor is a second resistance value in response to turn-off of the high-side switch. A second resistance value is greater than a first resistance value and a control switch is connected between the gate of the high-side switch and the ground.
장치는 하이-사이드 스위치에 대해 바이어스 전력을 제공하도록 구성된 용량성 디바이스, 용량성 디바이스와 하이-사이드 스위치의 게이트 사이에 연결된 가변 저항을 갖는 게이트 구동 경로를 포함하며, 가변 저항을 갖는 게이트 구동 경로는 하이-사이드 스위치의 턴-온에 응답한 제1 저항 값이고, 가변 저항을 갖는 게이트 구동 경로는 하이-사이드 스위치의 턴-오프에 응답한 제2 저항 값이고, 제2 저항 값은 제1 저항 값보다 크고, 하이-사이드 스위치의 게이트와 접지 사이에 제어 스위치가 연결된다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20210001413 |