ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

• Main Authors: TOMURA MAJU, SUDA RYUTARO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.07.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An objective of the present disclosure is to provide an etching method and an etching apparatus capable of improving an etching rate while suppressing the expansion of a critical dimension (CD). The etching method includes a providing step, a setting step, and an etching step. In the providing step, a substrate having a target etching film including a silicon oxide film and a mask formed on the target etching film is provided on a stage. In the setting process, the temperature of the stage is set so that the temperature becomes 0℃ or less. In the etching step, plasma is generated from gas containing fluorine, nitrogen and carbon, wherein the ratio of the number of fluorine to the number of nitrogen (F/N) is in the range of 0.5 to 10, and the silicon oxide film is etched through the mask. 본 개시는, CD(Critical Dimension)의 확대를 억제하면서, 에칭 레이트를 향상시킬 수 있는 에칭 방법 및 에칭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 에칭 방법은, 제공하는 공정과, 설정하는 공정과, 에칭하는 공정을 갖는다. 제공하는 공정은, 실리콘 산화막을 포함하는 피에칭막과, 피에칭막 상에 형성된 마스크를 갖는 기판을 배치대 상에 제공한다. 설정하는 공정은, 배치대의 온도를 0℃ 이하의 온도가 되도록 설정한다. 에칭하는 공정은, 불소, 질소 및 탄소를 포함하고, 질소의 수에 대한 불소의 수의 비율(F/N)이 0.5∼10의 범위인 가스로부터 플라즈마를 생성하여, 마스크를 통해 실리콘 산화막을 에칭한다.