가변 다이 크기 메모리 장치 및 그 제조 방법

• Main Authors: FUJITA TAKAHITO, SHISHIDO KIYOKAZU, OGAWA HIROYUKI, TANABE TOMOKA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 02.07.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 다이는, 절연층들과, 제1 수평 방향을 따라 측방향으로 연장되는 제1 후면 트렌치들에 의해 서로 측방향으로 분리된 도전층들의 교번 스택들; 교번 스택들을 통해 수직으로 연장되는 메모리 스택 구조들의 어레이; 교번 스택들을 연속적으로 측방향으로 둘러싸는 내부 에지 밀봉 구조; 내부 에지 밀봉 구조를 연속적으로 측방향으로 둘러싸는 외부 에지 밀봉 구조; 및 내부 에지 밀봉 구조와 외부 에지 밀봉 구조 사이에 위치하는 절연층들과 도전층들의 추가 교번 스택들을 포함한다. A semiconductor die includes alternating stacks of insulating layers and electrically conductive layers that are laterally separated from each other by first backside trenches that laterally extend along a first horizontal direction, an array of memory stack structures vertically extending through the alternating sacks, an inner edge seal structure that continuously laterally surrounds the alternating stacks, an outer edge seal structure that continuously laterally surrounds the inner edge seal structure, and additional alternating stacks of insulating layers and electrically conductive layers located between the inner edge seal structure and the outer edge seal structure.