에피택셜 강유전성 메모리 요소들을 포함하는 3차원 메모리 디바이스 및 그 형성 방법

3차원 메모리 디바이스는 기판 위에 위치된 절연 층들 및 전기 전도성 층들의 교번하는 스택, 및 교번하는 스택을 통해 연장되는 메모리 스택 구조물들을 포함한다. 메모리 스택 구조물들 각각은 단결정 강유전성 유전체 층들의 수직 스택 및 각자의 수직 반도체 채널을 포함한다. A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers located over a substrate, an...

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Main Authors ZHOU FEI, RAJASHEKHAR ADARSH, SHARANGPANI RAHUL, MAKALA RAGHUVEER S
Format Patent
LanguageKorean
Published 02.07.2021
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:3차원 메모리 디바이스는 기판 위에 위치된 절연 층들 및 전기 전도성 층들의 교번하는 스택, 및 교번하는 스택을 통해 연장되는 메모리 스택 구조물들을 포함한다. 메모리 스택 구조물들 각각은 단결정 강유전성 유전체 층들의 수직 스택 및 각자의 수직 반도체 채널을 포함한다. A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers located over a substrate, and memory stack structures extending through the alternating stack. Each of the memory stack structures includes a vertical stack of single crystalline ferroelectric dielectric layers and a respective vertical semiconductor channel.
Bibliography:Application Number: KR20217019531