반도체 장치 제조 방법

• Main Authors: YAMAKAWA AKIRA, TSUJI NAOKO, SUMITA KATSUHIKO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 소자가 만들어 넣어진 웨이퍼의 적층을 거쳐서 반도체 소자가 다층화되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 웨이퍼 적층체의 휨을 억제하면서 효율적으로 반도체 장치를 제조하는 데 적합한 방법을 제공한다. 본 발명의 반도체 장치 제조 방법은, 준비 공정, 박화 공정 및 접합 공정을 적어도 포함한다. 준비 공정에서는, 복수의 제1 웨이퍼 적층체가 준비된다. 각 제1 웨이퍼 적층체는, 소자 형성면과 이것과는 반대의 이면을 각각이 갖는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 포함하고, 또한 당해 제1 및 제2 웨이퍼의 소자 형성면측끼리가 접합된 적층 구성을 갖는다. 박화 공정에서는, 제1 웨이퍼 적층체의 제1 웨이퍼가 박화되고, 당해 박화 제1 웨이퍼를 갖는 제1 웨이퍼 적층체가 형성된다. 접합 공정에서는, 박화 공정을 거친 2개의 제1 웨이퍼 적층체의 박화 제1 웨이퍼측끼리가 접합되어, 제2 웨이퍼 적층체가 형성된다. Provided is a method suitable for efficiently manufacturing a semiconductor device while preventing warpage of the wafer laminate in manufacturing a semiconductor device in which semiconductor elements are multilayered through laminating wafers in which the semiconductor elements are fabricated. The method includes at least: preparing a plurality of first wafer laminates each having a laminate configuration including a first and second wafers each having an element forming surface and a back surface opposite from the element forming surface, the laminate configuration wherein the element forming surface sides of the first and second wafers are bonded to each other; thinning the first wafer of the first wafer laminate to form a first wafer laminate having the thinned first wafer; and bonding the thinned first wafer sides of two first wafer laminates having undergone the thinning to each other to form a second wafer laminate.