반도체 디바이스들의 형성 및 이송을 위한 재사용가능 지지 기판 및 이를 사용하는 방법들

• Main Authors: ZHOU FEI, KANAKAMEDELA SENAKA, MAKALA RAGHUVEER S
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

전면측 상에 복수의 채널들을 포함하는 지지 기판이 제공된다. 커버 층은 복수의 채널들 위에 희생 커버 재료를 이방성으로 증착시킴으로써 형성된다. 공동들은 커버 층의 수평으로 연장되는 부분 아래의 복수의 채널들 내에서 측방향으로 연장된다. 봉지 층은 컨포멀하게 증착된다. 제1 반도체 디바이스들, 제1 금속 상호연결 구조물들, 및 제1 접합 패드들이 봉지 층의 상단 표면 위에 형성된다. 제2 접합 패드들을 갖는 디바이스 기판이 제공된다. 제2 접합 패드들은 제1 접합 패드들과 접합되어 접합된 조립체를 형성한다. 봉지 층의 주변 부분들은 제거되고, 커버 층의 주변 부분들은 물리적으로 노출된다. 커버 층은, 접합된 조립체로부터 지지 기판을 분리시키기 위해 공동들을 통해 등방성 에칭제를 전파시킴으로써 등방성 에칭 프로세스를 이용하여 제거된다. A support substrate including a plurality of channels on a front side is provided. A cover layer is formed by anisotropically depositing a sacrificial cover material over the plurality of channels. Cavities laterally extend within the plurality of channels underneath a horizontally extending portion of the cover layer. An encapsulation layer is conformally deposited. First semiconductor devices, first metal interconnect structures, and first bonding pads are formed over a top surface of the encapsulation layer. A device substrate with second bonding pads is provided. The second bonding pads are bonded with the first bonding pads to form a bonded assembly. Peripheral portions of the encapsulation layer are removes and peripheral portions of the cover layer are physically exposed. The cover layer is removed employing an isotropic etch process by propagating an isotropic etchant through the cavities to separate the support substrate from the bonded assembly.